В атоме, потерявшем электрон, образуется свободное место— «дырка». На это место из соседнего атома может перейти валентный электрон, на месте которого возникает дырка. Таким образом, дырка подобно электрону будет блуждать по кристаллу. При наличии внешнего электрического поля возникает направленное движение дырок, противоположное движению электронов. Направленное движение дырок вызывает прохождение электрического тока. Подвижность дырок меньше подвижности электронов. Электропроводность полупроводника, возникающая за счет направленного движения дырок, называется дырочной проводимостью или проводимостью типа р (от латинского слова «позитив» — положительный).

В полупроводнике типа п электроны называют основными носителями тока, а дырки — неосновными. В полупроводнике типа р дырки относят к основным носителям, а электроны — к неосновным.

Таким образом, полупроводниковым диодом (электрическим вентилем) называется прибор, обладающий односторонней проводимостью и имеющий один электронно-дырочный (р—п) переход и два вывода для подключения в цепь.

В электрооборудовании автомобилей диоды нашли широкое применение для выпрямления переменного тока генератора.

Рис. 1. Полупроводниковые приборы:
1 —пластина германия с проводником типа; 2 — индий, вплавленный в пластину германия; 3 — область с проводимостью типа р; 4. 5 — вы воды (анод и катод соответственно); 6 — ширина перехода

Диод, предназначенный для поддержания постоянной величины напряжения (стабилизации напряжения), называется стабилитроном или опорным диодом. Стабилитрон представляет собой разновидность кремниевого диода с повышенным содержанием носителей зарядов в полупроводниках. При определенной величине обратного напряжения, называемого напряжением пробоя или напряжением стабилизации, происходит резкое увеличение проводимости в обратном направлении. В отличие от диода в стабилитроне этот процесс является обратимым, т. е. при уменьшении обратного напряжения до определенной величины проводимость стабилитрона в обратном направлении прекращается. Стабилитроны применяются в транзисторных регуляторах напряжения и в транзисторных системах зажигания. Условное обозначение стабилитрона на схемах показано на рис. 1, д.

Рис. 2. Схемы подключения и условные обозначения транзисторов:
а — типа р —п — р; 6 — типа п— р — л

Транзистор — это полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами. В переводе с английского транзистор означает трансформатор сопротивления. Он содержит два р—/г-перехода и три вывода для подключения в электрическую цепь.

Один из выводов соединен с базой, т. е. основанием транзистора, другой—с эмиттером и предназначен для эмиттиро-вания, т. е. введения носителей электрических зарядов в базу, а третий—с коллектором; он является собирателем этих зарядов Транзисторы, у которых плюс подключен к эмиттеру, а минус — к коллектору, называют транзисторами прямой проводимости (типа р — п — р) и, наоборот, у транзисторов обратной проводимости (типа п — р — п) плюс подключается к коллектору, а минус— к эмиттеру.

На базу транзистора подается малый ток управления проводимостью р — «-переходов, а по цепи эмиттер — коллектор “Ротекает значительно больший ток. Таким образом, транзистор обладает усилительными свойствами и может работать как в режиме усиления, так и в режиме переключения.

Схема подключения транзистора прямой проводимости и его условное обозначение показаны на рис. 2, а.

При соответствующем потенциале базы носители зарядов 113 эмиттера (источника электрических зарядов) проходят к коллектору (собирателю электрических зарядов) и в цепи нагрузки появляется ток.

При подаче на базу отрицательного потенциала (переключатель П соединить с клеммой 1) в цепи эмиттер — база транзистора прямой проводимости появится управляющий ток, что и обеспечит протекание тока в цепи нагрузки эмиттер—коллектор, т. е. транзистор откроется.

В случае подачи на базу положительного потенциала (переключатель П соединить с клеммой 2) транзистор закроется (переход эмиттер — коллектор обладает большим сопротивлением). Если на базе транзистора управляющий потенциал отсутствует (цепь базы разомкнута), то транзистор будет закрыт.

Схема подключения транзистора обратной проводимости и его условное обозначение показаны на рис. 2, б.

Эмиттер транзистора обратной проводимости соединяют с отрицательным полюсом источника тока. При подаче на базу положительного потенциала, в цепи эмиттер —база транзистора обратной проводимости появится управляющий ток и транзистор откроется. При подаче на базу отрицательного потенциала транзистор закроется.